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电气基础名词释义(二)

发布时间:2013-10-11 10:58  文章来源:未知  作者:木森电器  人气:
      1、导体(conductor):容易传导电流的材料称为导体,如金属、电解液等。
      2、绝缘体(nonconductor):几乎不传导电流的材料称为绝缘体,如橡胶、陶瓷、石英、塑
      3、半导体(semiconductor):导电能力随外界条件发生显著变化的材料称为半导体,如硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓(GaAs)等。
      4、本征半导体(intrinsic semiconductor):不含杂质,完全纯净的、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。
      5、杂质半导体(extrinsic semiconductor):在本征半导体中掺入微量的杂质元素,其导电性能就会发生显著的改变。掺有杂质的本征半导体称为杂质半导体。因掺入杂质的不同,杂质半导体分为N型半导体和P型半导体。

      6、N型半导体(N-type semiconductor):在本征半导体中掺入微量五价元素(如磷(P)、砷(As))的杂质后,自由电子成为多数载流子,而空穴成为少数载流子。这种主要依靠自由电子导电的杂质半导体称为N型半导体。
      7、P型半导体(P-type semiconductor):在本征半导体中掺入微量三价元素(如硼(B)、铟(In))的杂质后,空穴成为多数载流子,而自由电子成为少数载流子。这种主要依靠空穴导电的杂质半导体称为P型半导体。
      8、空穴(hole):电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后所留下的空位称为空穴。空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点,通常可将空穴视为带正电的粒子。
      9、载流子(carrier):在半导体中,将能移动的电荷统称为载流子,包括电子和空穴。
      10、扩散(diffusion):在P型半导体和N型半导体的交界处,由于多数载流子浓度的差别,载流子将从浓度较高的区域向浓度低的区域运动,多数载流子的这种运动称为扩散。扩散和漂移产生方向相反的电流。
      11、漂移(drift):在扩散产生的内电场作用下,少数载流子有规则的运动,称为漂移运动,简称漂移。漂移和扩散产生方向相反的电流。
      12、PN结(PN junction):由于载流子的扩散和漂移,在P区和N区交界处的两侧形成一个空间电荷区(space-charge region),这个空间电荷区称为PN结。PN结也称为耗尽层或阻挡层。
      13、耗尽层(depletion layer):在空间电荷区中,多数载流子扩散到对方并被复合掉,或者说多数载流子被消耗尽了,所以这个空间电荷区也称为耗尽层。
      14、阻挡层(barrier layer):在空间电荷区中,由静止电荷所建立的内电场对多数载流子的扩散起阻挡作用,所以这个空间电荷区又称为阻挡层。
      15、偏置(bias):在PN结上外加一定的电压,称为偏置。在PN结上加正向电压,称为正向偏置,简称正偏(forward bias);在PN结上加反向电压,称为反向偏置,简称反偏(reverse bias)。
      16、半导体二极管(PN junction diode):在一个PN结的P区和N区分别加上相应的电极引线,外加管壳密封制成的器件,称为半导体二极管。
      17、二极管导通压降(forward voltage of a PN junction diode):二极管正向导通时其两端所加的电压称为二极管导通压降,如硅管的导通压降为0.6V~0.7V,锗管为0.2V~0.3V,砷化镓为1.3 ~1.5V等。
      18、二极管的伏安特性(current-voltage characteristics of a PN junction diode):二极管的端电压与流过二极管的电流之间的关系称为二极管的伏安特性。
      19、死区(dead zone):当二极管所加的正向电压较小时,由于外部电场不足以克服内电场对多数载流子扩散运动所造成的阻力,因此这时的正向电流很小,二极管呈现较高的电阻。这段区域称为“死区”。
      20、最大反向工作电压(maximum peak reverse voltage):指二极管安全工作时所能承受的最高反向电压。一般规定最大反向工作电压为反向击穿电压的1/2~2/3。
      21、反向饱和电流(reverse saturation current):在二极管两端外加反向电压不超过一定范围时,由少数载流子的漂移形成很小的反向电流。在一定温度下,一定范围内增加反向电压不会使少数载流子的数目明显增加,即反向电流与反向电压基本无关,故此时的反向电流通常称为反向饱和电流。
      22、整流(rectification):将交流电转变为直流电的过程叫整流。
      23、滤波(filtering):将交流电转变为直流电的过程叫整流。将整流输出的单向脉动电压变换为脉动程度小的平滑直流电压的过程称为滤波。
      24、参数(parameter):表征元器件特性或描述元器件安全工作范围的一些数据称为参数。参数一般可从手册中查到。
      25、稳压管(Zener diode):稳压管又称齐纳二极管,是工作在反向击穿区的特殊硅二极管,常利用它在反向击穿状态下的恒压特性构成简单的稳压电路。
      26、温度系数(temperature coefficient):表征元器件温度敏感性的参数。通常用某个电压变化的百分数与元器件工作环境温度的变化量的度数之比来表示,由元器件生产厂提供。当环境温度上升时,元器件的有关参数值也上升,称为正温度系数;反之为负温度系数。例如稳压管,稳定电压在6伏以上时,温度系数为正; 6伏以下时,温度系数为负。
      27、双极型晶体管( bipolar junction transistor ,BJT):双极型晶体管是一种具有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电,并有三个电极的电流控制型器件。
      28、场效应晶体管(field-effect transistor ,FET):场效应晶体管是一种具有一种载流子(自由电子或空穴)参与导电、并有三个电极的电压控制型器件。场效应晶体管可分为结型和绝缘栅型两大类,绝缘栅型场效应晶体管(insulated gate type FET)又称为MOS场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOS FET)。
      29、共发射极电路(common-emitter circuit):利用晶体管组成的放大电路,其中总有一个电极是信号的输入、输出回路的公共端,而另外两个电极分别是输入端和输出端。当发射极作为信号的输入、输出回路的公共端,基极是输入端、集电极是输出端所组成的电路就称为共发射极电路。
      30、共集电极电路(common-collector circuit):利用晶体管组成的放大电路,其中总有一个电极是信号的输入、输出回路的公共端,而另外两个电极分别是输入端和输出端。当集电极作为信号的输入、输出回路的公共端,基极是输入端、发射极是输出端所组成的电路就称为共集电极电路,也称为射极输出器、射极跟随器。
      31、共基极电路(common-base circuit):利用晶体管组成的放大电路,其中总有一个电极是信号的输入、输出回路的公共端,而另外两个电极分别是输入端和输出端。当基极作为信号的输入、输出回路的公共端,发射极是输入端、集电极是输出端所组成的电路就称为共基极电路。
      32、输入特性(input characteristics):输入电压与输入电流之间的关系,称为输入特性。一般用曲线表示,称为输入特性曲线。
      33、输出特性(output characteristics):输出电流与输出电压之间的关系,称为输出特性。一般是以某一输入量为参变量的一族曲线。
      34、电流放大系数(current amplification coefficient):表征BJT电流控制作用的参数,例如共基极接法时的电流放大系数α、共射极接法时的电流放大系数β。
      35、集电极—基极反向饱和电流ICBO(collector –base reverse saturation current):集电极—基极反向饱和电流指发射极开路时,集电结在反向电压的作用下,集电区的少数载流子向基区漂移而形成的反向电流。
      36、集电极—发射极反向饱和电流ICEO(collector-emitter reverse saturation current):集电极—发射极反向饱和电流又称穿透电流,是指当基极开路时,集电极和发射极之间流过的电流。
      37、集电极最大允许电流ICM(maximum collector permitted current):集电极最大允许电流是指晶体管参数的变化不超过规定允许值时(功率与电压未超过额定值,一般指β值没有下降到正常参数的 时)集电极电流的最大值。
      38、集电极最大允许耗散功率PCM(maximum collector permitted power dissipation):晶体管安全工作时,集电结的功率最大值,如果超过此值,器件就可能损坏。E50601030404
      39、放大(amplification):输出信号(电流、电压或功率)比输入信号大,称为放大。其实质是通过电子器件的控制作用,将直流电源的能量转化为负载所需要的电能形式。
      40、微变等效电路(small-signal equivalent circuit):输入微小信号时放大电路的等效电路称为微变等效电路
      41、微变等效电路分析法(small-signal equivalent analysis): 指放大电路输入信号较小(微变信号)时,可将非线性电路等效为线性电路,借助线性电路的分析方法进行分析,这种特定的分析方法称为微变等效电路分析法。
      42、静态(quiescent state):在放大电路中,输入端未加输入信号时的工作状态称为放大电路的静态。
      43、静态工作点(quiescent operating point):静态时,在晶体管的输入特性和输出特性上所对应的工作点,用Q表示。
      44、静态分析(quiescent state analysis):确定放大电路的静态工作点,即确定电路中静态的相关参数。
      45、动态(dynamic state):在放大电路中,输入端加入输入信号时的工作状态称为放大电路的动态。
      46、动态分析(dynamic state analysis):确定放大电路的相关动态参数,如电压放大倍数 、输入电阻和输出电阻等。
      47、输入电阻 (input resistance):放大电路对信号源(或对前级放大电路)来说是一个负载,它可以用一个等效电阻来替代,这个等效电阻就是放大电路的输入电阻。输入电阻是一个动态电阻。
      48、输出电阻 (output resistance):放大电路对负载(或对后级放大电路)来说,可以等效为一个电源模型,该电源模型的内阻定义为放大电路的输出电阻。输出电阻是一个动态电阻。
      49、电压放大倍数 (voltage amplification factor):电压放大倍数是衡量放大电路放大输入信号能力的基本参数,定义为输出电压与输入电压之比。
      50、开环(open-loop):输出信号对输入不存在任何作用时电路所处的状态称为开环。
      51、闭环(closed-loop):输出信号对输入存在作用时电路所处的状态称为闭环。
      52、增益(gain):输出信号与输入信号之比的模量称为增益。包括电流增益、电压增益和功率增益等。工程上常用以10为底的对数表达,其单位为分贝(dB)。
      53、失真(distortion):输出信号的波形未能完全复现输入信号的波形的现象称为失真。
      54、非线性失真(nonlinear distortion):由元器件的非线性引起的失真称为非线性失真,其特点是产生新的频率。在放大电路中,非线性失真主要指由于静态工作点不合适或者信号太大,使放大电路的工作范围超出了晶体管线性区所产生的失真,包括截止失真和饱和失真。
由于晶体管的截止引起的非线性失真称为截止失真(cut-off distortion)。
由于晶体管的饱和引起的非线性失真称为饱和失真(saturation distortion)。

      55、交越失真(crossover distortion):在乙类互补功放电路里,两个功放管交替工作,在信号过零前后功放管静态工作电流接近零,功放管进入截止区,由此造成的输出波形失真称为交越失真。
      56、效率(efficiency):输出功率与输入功率之比的百分数称为效率。
      57、图解法(graphical analysis):在晶体管输入、输出特性曲线上,通过图解分析放大电路的工作状态和性能参数的方法,称为图解法。
      61、耦合(coupling):在多级放大电路中,相邻两级放大电路之间的连接称为耦合。
      62、阻容耦合(resistance-capacitance coupling):在多级放大电路中,相邻两级放大电路之间通过电阻、电容连接的方式称为阻容耦合。
      63、变压器耦合(transformer  coupling):在多级放大电路中,相邻两级放大电路之间通过变压器传递信号的方式称为变压器耦合。
      64、直接耦合(direct coupling):在多级放大电路中,相邻两级放大电路之间直接连接的方式称为直接耦合。
      65、光电耦合(photoelectric coupling):利用光电效应进行放大器之间信号传递的方式称为光电耦合。
      66、光电效应(photoeffect):指可见光、红外线或紫外线在某些物质上照射而引起的电子发射的过程。例如某些半导体材料受到光照时,其材料的电导率显著增加。
      67、零点漂移(zero drift):零点漂移是指在放大电路中,当输入端无输入信号时,输出端的电压受外界因素影响偏离初始值,在初值上下漂动的(不稳定的)现象,简称零漂。
      70、虚短(virtual short):工作在线性区域的集成运算放大器,其两个输入端之间的电压通常接近于零,即同相端的电位近似等于反相端的电位,这种近似短接,其实并未短接的现象称为虚短路,简称“虚短”。
      71、虚地(virtual ground):工作在线性区域的反相输入运算放大器,因同相输入端接地,根据“虚短”的结论,其反相输入端的电位接近于“地”电位,其实并未接地,将这种现象称之为“虚地”。
      72、虚断(virtual break):工作在线性区域的理想运算放大器,由于其输入电阻无穷大,同相输入端和反相输入端的输入电流几乎为零,这种相当于断路,其实并不能断路的状态称之为“虚断”。
      73、集成运算放大器(operational amplifier):一种增益极高的多级直接耦合放大器,是一种重要模拟集成电路。
      74、复合晶体管(compound-connected transistor):将两只或多只三极管的电极通过适当连接,作为一个管子来使用,即组成复合晶体管,或称达林顿(Darlington)管。E50602070203
      75、自激振荡(oscillation):当放大电路的输入端无外加信号,而它的输出端仍有一定频率和幅度的信号输出,这种现象称为自激振荡。工程上常利用正反馈产生自激振荡。
      76、选频网络(frequency-selective network):利用网络的谐振特性,将信号中与网络谐振频率相等的成分输出给负载,而将其他频率的信号加以抑制,具有该功能的网络称为选频网络。
      77、夹断电压 (pinch-off voltage):在漏源电压为某一定值的条件下,耗尽型MOS管中,使漏电流等于某一微小值时,栅—源极间所加的偏压就是夹断电压。增强型MOS管无此参数。
      78、开启电压 (threshold voltage):在漏源电压为某一定值的条件下,增强型MOS管开始导通(漏电流出现)的最小的栅源电压值就是开启电压。耗尽型MOS管无此参数。
      79、饱和漏极电流 (saturation drain current):耗尽型MOS管在栅源电压为零(即 )的条件下,管子发生预夹断时的漏极电流称为饱和漏极电流。增强型MOS管无此参数。
      80、低频跨导 (low-frequency  transconductance):在低频条件下,在漏源电压为某一固定数值的条件下,漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导。
      81、N沟道(N-channel):通常把P型衬底表面形成的N型薄层称为反型层,该反型层形成漏、源之间的N型导电沟道,简称N沟道。
      82、P沟道(P-channel):通常把N型衬底表面形成的P型薄层称为反型层,该反型层形成漏、源之间的P型导电沟道,简称P沟道。
      83、增强型场效应管(enhancement type FET):指一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管,在其栅压为零时漏极电流为零,即没有导电沟道。依靠外加栅压的正向增加,形成感生沟道,使漏极电流逐渐增加。这种导电沟道从无到有的过程称为增强。具有这种工作特点的场效应晶体管称为增强型场效应管。
      84、耗尽型场效应管(depletion type FET):指一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管,在其栅压为零并且漏极电压一定时,就有较大的漏极电流,即存在导电沟道。随外加栅压的反向增加,漏极电流逐渐减小。这种导电沟道从有到无的性质称为耗尽。具有这种工作特点的场效应晶体管称为耗尽型场效应管。
      85、转移特性(transfer characteristics):转移特性表征了在一定的下,与之间的关系:它是栅源电压 对漏极电流 的控制作用的体现。
      86、晶闸管(thyristor):又称可控硅整流器(SCR),是一种大功率的四层三端半导体器件,习惯叫做可控硅。后又派生的器件如快速可控硅、双向可控硅、逆导可控硅。所有这些器件统称为晶体闸流管,简称晶闸管。通常所说的可控硅就是普通晶闸管,所有派生器件则属于特殊晶闸管。
      87、可控整流(controlled  rectification):在晶闸管承受正向电压的时间内,通过改变触发脉冲相位从而改变晶闸管的导通角来控制整流输出电压的大小,这种整流方式称为可控整流。
      88、电力电子技术(power electronics):电力电子技术是一门介于电力、电子和自动控制三大技术领域之间的边沿学科,或者说是以电力为对象的电子技术。它是利用电力半导体器件进行电能变换和控制的技术,其应用已渗透到国民经济的各个领域。
 
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